RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
50
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3521
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link