takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Puntuación global
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Puntuación global
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 16.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    19 left arrow 50
    En -163% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.9 left arrow 1,457.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 6400
    En 3.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    50 left arrow 19
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,757.3 left arrow 16.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,457.4 left arrow 14.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    557 left arrow 3521
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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