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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
50
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3521
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
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