takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Gesamtnote
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 15
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 50
    Rund um -85% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 1,457.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 6400
    Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    50 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,757.3 left arrow 15.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,457.4 left arrow 10.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    557 left arrow 2288
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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