RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
50
Autour de -85% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2288
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link