RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
96
Rund um -167% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2281
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link