RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
96
Rund um -231% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
15.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3721
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link