Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Gesamtnote
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Gesamtnote
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 10.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 5.3
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 44
    Rund um -42% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    44 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 10.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 5.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1853 left arrow 1740
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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