RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
44
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
5.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
1740
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link