Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    10.9 left arrow 10.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.5 left arrow 5.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    31 left arrow 44
    Wokół strony -42% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    44 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.9 left arrow 10.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.5 left arrow 5.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1853 left arrow 1740
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania