RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.9
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
5.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
44
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
1740
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link