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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
94
En -194% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
32
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2271
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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