RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
94
Wokół strony -194% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
32
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2271
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link