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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
52
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.5
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.6
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
44
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
1660
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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