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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
52
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.5
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
44
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
5.6
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
1660
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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