RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
52
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
44
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
1660
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link