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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
52
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.6
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
44
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
1660
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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