Comparación de la memoria RAM A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Puntuación global

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 16.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,061.2 12.3

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

34 46

En -35% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 6400

En 4 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

759 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns