Porównanie pamięci RAM A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Wynik ogólny

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 16.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,061.2 12.3

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

34 46

Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 6400

Wokół strony 4 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

759 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns