Confronto tra le RAM A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 16.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,061.2 12.3

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

34 46

Intorno -35% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 6400

Intorno 4 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

759 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns