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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
12.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
46
周辺 -35% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
34
読み出し速度、GB/s
4,937.3
16.7
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
12.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
2584
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Frequency (Mhz) *
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