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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
2225
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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