AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB

Note globale
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.7 left arrow 13.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.2 left arrow 8.1
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.7 left arrow 13.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.2 left arrow 8.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2272 left arrow 2225
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons