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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Comparez
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Note globale
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2272
2225
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaison des RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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