RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Compara
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
9.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2634
2419
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link