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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
総合得点
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
29
周辺 10% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.2
13.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.0
9.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
29
読み出し速度、GB/s
14.2
13.6
書き込み速度、GB/秒
10.0
9.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2634
2419
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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