RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2634
2419
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link