Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Puntuación global
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Puntuación global
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 37
    En 8% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    21.4 left arrow 16
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.3 left arrow 10.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    34 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.0 left arrow 21.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.3 left arrow 14.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2782 left arrow 3448
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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