Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Pontuação geral
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Pontuação geral
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    34 left arrow 37
    Por volta de 8% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    21.4 left arrow 16
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.3 left arrow 10.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    34 left arrow 37
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.0 left arrow 21.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.3 left arrow 14.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2782 left arrow 3448
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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