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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
総合得点
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
総合得点
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
37
周辺 8% 低遅延
考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
21.4
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.3
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
37
読み出し速度、GB/s
16.0
21.4
書き込み速度、GB/秒
10.3
14.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2782
3448
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