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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.4 left arrow 9.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.4 left arrow 7.0
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 37
    En -3% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.4 left arrow 9.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.4 left arrow 7.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1683 left arrow 1891

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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