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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.4
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.4
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
37
Por volta de -3% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
7.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
1891
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparações de RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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