RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    11.4 left arrow 9.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.4 left arrow 7.0
    Średnia wartość w badaniach
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    36 left arrow 37
    Wokół strony -3% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 36
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.4 left arrow 9.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.4 left arrow 7.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1683 left arrow 1891

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Pamięć RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Pamięć RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Pamięć RAM
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Pamięć RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Pamięć RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Pamięć RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Pamięć RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Pamięć RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Pamięć RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Pamięć RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Pamięć RAM