Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Puntuación global
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 10.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    37 left arrow 51
    En -38% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 1,839.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 5300
    En 3.62 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    51 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,246.9 left arrow 10.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,839.1 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    721 left arrow 2213
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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