RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,839.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,246.9
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,839.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
721
2213
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link