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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
51
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
37
读取速度,GB/s
4,246.9
10.4
写入速度,GB/s
1,839.1
7.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2213
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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