Comparación de la memoria RAM Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Puntuación global

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 26

En 8% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.6 15.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.8 11.0

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2445 2382

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns