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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
26
周辺 8% 低遅延
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
15.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
11.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
26
読み出し速度、GB/s
15.5
15.6
書き込み速度、GB/秒
11.0
11.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2445
2382
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