Confronto tra le RAM Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Punteggio complessivo

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 26

Intorno 8% latenza inferiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.6 15.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.8 11.0

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2445 2382

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns