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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de 8% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
2382
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
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CAS Latency (CL) *
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