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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2962
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
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