RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2962
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link