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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
13.2
15.8
写入速度,GB/s
9.4
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2962
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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