RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2962
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link