RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
62
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
2,378.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
53
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
2366
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Informar de un error
×
Bug description
Source link