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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Puntuación global
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Puntuación global
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
65
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
985
1989
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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