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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
65
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
28
读取速度,GB/s
6.1
13.2
写入速度,GB/s
4.2
9.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
1989
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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