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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
4.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
28
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
4.2
9.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
985
1989
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparações de RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
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