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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Motivi da considerare
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
65
Intorno -132% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
28
Velocità di lettura, GB/s
6.1
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
985
1989
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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