RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
56
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,935.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
56
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
2200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link