RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 56
    周辺 20% 低遅延
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.3 left arrow 6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 2,935.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    6,336.8 left arrow 9.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,935.8 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1144 left arrow 2200

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAMの比較

OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
メモリRAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
メモリRAM