Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Puntuación global
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Puntuación global
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 16
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 62
    En -107% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.3 left arrow 1,843.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    23400 left arrow 6400
    En 3.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    62 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,556.6 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,843.6 left arrow 12.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    542 left arrow 2709
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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