Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

総合得点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 16

テスト平均値

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 62

周辺 -107% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.3 1,843.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

23400 6400

周辺 3.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

62 30
読み出し速度、GB/s

3,556.6 16.0
書き込み速度、GB/秒

1,843.6 12.3
メモリ帯域幅、mbps

6400 23400

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

542 2709

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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