RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2789
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link